2024年の電子展の聴衆のための指示

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5221059NJVMJD6039T4G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD6039T4G

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規格
  • 部品型番
    NJVMJD6039T4G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NJVMJD6039T4G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    80V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    2.5V @ 8mA, 2A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DPAK
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1.75W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 運転温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    6 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 1.75W Surface Mount DPAK
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    500 @ 2A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    10µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    4A

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