2024年の電子展の聴衆のための指示

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4105424NJVMJD122T4G-VF01絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD122T4G-VF01

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規格
  • 部品型番
    NJVMJD122T4G-VF01
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NJVMJD122T4G-VF01.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    4V @ 8A, 80mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DPAK
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1.75W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    NJVMJD122T4G
    NJVMJD122T4G-ND
    NJVMJD122T4G-VF01OSTR
    NJVMJD122T4GOSTR
    NJVMJD122T4GOSTR-ND
  • 運転温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    14 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 4A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    10µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    8A
  • ベース部品番号
    MJD122

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