2024年の電子展の聴衆のための指示

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NGTD9R120F2WP

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規格
  • 部品型番
    NGTD9R120F2WP
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NGTD9R120F2WP.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    2.6V @ 15A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Die
  • 速度
    -
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    Die
  • 動作温度 - ジャンクション
    175°C (Max)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 1200V Surface Mount Die
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1µA @ 1200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    -
  • Vrと、F @キャパシタンス
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