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5838530NGTB50N65S1WG絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

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規格
  • 部品型番
    NGTB50N65S1WG
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT TRENCH 650V 140A TO247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NGTB50N65S1WG.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.45V @ 15V, 50A
  • 試験条件
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    75ns/128ns
  • エネルギーの切り替え
    1.25mJ (on), 530µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    70ns
  • 電力 - 最大
    300W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    NGTB50N65S1WG-ND
    NGTB50N65S1WGOS
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench
  • ゲートチャージ
    128nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench 650V 140A 300W Through Hole TO-247
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    140A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    140A

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