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4037555NGTB15N60S1EG絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

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規格
  • 部品型番
    NGTB15N60S1EG
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NGTB15N60S1EG.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.7V @ 15V, 15A
  • 試験条件
    400V, 15A, 22 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    65ns/170ns
  • エネルギーの切り替え
    550µJ (on), 350µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    270ns
  • 電力 - 最大
    117W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 他の名前
    NGTB15N60S1EG-ND
    NGTB15N60S1EGOS
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    27 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • ゲートチャージ
    88nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    120A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    30A

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