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974338NDD02N60Z-1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD02N60Z-1G

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規格
  • 部品型番
    NDD02N60Z-1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NDD02N60Z-1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.5V @ 50µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I-PAK
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.8 Ohm @ 1A, 10V
  • 電力消費（最大）
    57W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 他の名前
    NDD02N60Z-1G-ND
    NDD02N60Z-1GOS
    NDD02N60Z1G
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    274pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    10.1nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-PAK
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    2.2A (Tc)

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