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4594361MUN5113DW1T1G絵ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

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規格
  • 部品型番
    MUN5113DW1T1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MUN5113DW1T1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100mA
  • 電圧 - ブレークダウン
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    50V
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Digi-Reel®
  • 抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）
    47k
  • 抵抗 - ベース（R1）（オーム）
    -
  • 電力 - 最大
    250mW
  • 偏光
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 他の名前
    MUN5113DW1T1GOSDKR
  • ノイズ指数（F @デシベル標準）
    47k
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 製造元の部品番号
    MUN5113DW1T1G
  • 周波数 - トランジション
    80 @ 5mA, 10V
  • 拡張された説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 説明
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    500nA
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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