2024年の電子展の聴衆のための指示

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1257171MMJT350T1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMJT350T1G

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規格
  • 部品型番
    MMJT350T1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MMJT350T1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    300V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    -
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-223
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    650mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-261-4, TO-261AA
  • 他の名前
    MMJT350T1G-ND
    MMJT350T1GOSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    30 @ 50mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    500mA
  • ベース部品番号
    MMJT350

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