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6169889MJE5731G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE5731G

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規格
  • 部品型番
    MJE5731G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 350V 1A TO-220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MJE5731G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    350V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1V @ 200mA, 1A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    40W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 他の名前
    MJE5731G-ND
    MJE5731GOS
  • 運転温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    10MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    30 @ 300mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    1A

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