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2793123MJ11012G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11012G

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規格
  • 部品型番
    MJ11012G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MJ11012G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    60V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    4V @ 300mA, 30A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-204 (TO-3)
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    200W
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    TO-204AA, TO-3
  • 他の名前
    MJ11012G-ND
    MJ11012GOS
  • 運転温度
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    4MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 20A, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    30A

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