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MBT35200MT1G

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規格
  • 部品型番
    MBT35200MT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MBT35200MT1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    35V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    310mV @ 20mA, 2A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    6-TSOP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    625mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6
  • 他の名前
    MBT35200MT1GOS
    MBT35200MT1GOS-ND
    MBT35200MT1GOSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    25 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    100MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    100 @ 1.5A, 1.5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    2A
  • ベース部品番号
    MBT35200

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