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KSD560RTU

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規格
  • 部品型番
    KSD560RTU
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.KSD560RTU.pdf
    2.KSD560RTU.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1.5V @ 3mA, 3A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1.5W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 5A 1.5W Through Hole TO-220-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    2000 @ 3A, 2V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    5A
  • ベース部品番号
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