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J112G

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規格
  • 部品型番
    J112G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    JFET N-CH 35V 0.35W TO92
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    J112G.pdf
  • 電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ）
    1V @ 1µA
  • 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）
    35V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92-3
  • シリーズ
    -
  • 抵抗 - RDS（ON）
    50 Ohms
  • 電力 - 最大
    350mW
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 他の名前
    J112G-ND
    J112GOS
  • 運転温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    -
  • FETタイプ
    N-Channel
  • 詳細な説明
    JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3
  • 電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（​​IDSS）
    5mA @ 15V
  • ベース部品番号
    J112

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