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2271170HGT1S14N36G3VLT絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLT

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規格
  • 部品型番
    HGT1S14N36G3VLT
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 390V 18A 100W TO262AA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    HGT1S14N36G3VLT.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    390V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.2V @ 5V, 14A
  • 試験条件
    300V, 7A, 25 Ohm, 5V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    -/7µs
  • エネルギーの切り替え
    -
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    100W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Logic
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    24nC
  • 詳細な説明
    IGBT 390V 18A 100W Through Hole I2PAK (TO-262)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    18A

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HGT1S12N60A4S9A

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説明: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

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