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1559387H11AG1M絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11AG1M

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規格
  • 部品型番
    H11AG1M
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    H11AG1M.pdf
  • 電圧 - 出力（最大）
    30V
  • 電圧 - 絶縁
    4170Vrms
  • 電圧 - フォワード（Vf）（標準）
    1.25V
  • Vce飽和（最大）
    400mV
  • オン/オフ時間（Typ）
    5µs, 5µs
  • サプライヤデバイスパッケージ
    6-DIP
  • シリーズ
    -
  • 立上り/立下り時間（Typ）
    -
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 出力タイプ
    Transistor with Base
  • 運転温度
    -40°C ~ 100°C
  • チャネル数
    1
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    9 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    DC
  • 詳細な説明
    Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • 電流伝達率（最小）
    100% @ 1mA
  • 電流伝達率（最大）
    -
  • 電流 - 出力/チャンネル
    50mA
  • 電流 - DC順方向（If）（最大）
    50mA

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