2024年の電子展の聴衆のための指示

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6123923H11A817D絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817D

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規格
  • 部品型番
    H11A817D
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - 出力(最大)
    70V
  • 電圧 - 絶縁
    5300Vrms
  • 電圧 - フォワード(Vf)(標準)
    1.2V
  • Vce飽和(最大)
    200mV
  • オン/オフ時間(Typ)
    -
  • サプライヤデバイスパッケージ
    4-DIP
  • シリーズ
    -
  • 立上り/立下り時間(Typ)
    2.4µs, 2.4µs
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 出力タイプ
    Transistor
  • 他の名前
    H11A817DQT
    H11A817DQT-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 100°C
  • チャネル数
    1
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    DC
  • 詳細な説明
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
  • 電流伝達率(最小)
    300% @ 5mA
  • 電流伝達率(最大)
    600% @ 5mA
  • 電流 - 出力/チャンネル
    50mA
  • 電流 - DC順方向(If)(最大)
    50mA
H11A817C300W

H11A817C300W

説明: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
在庫あり
H11A817DSD

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H11A817D300W

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H11A817D3S

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H11A817DW

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H11A817C

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H11A817BSD

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H11A817D3SD

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H11A817CSD

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H11A817D300

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