2024年の電子展の聴衆のための指示

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FSB660A

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規格
  • 部品型番
    FSB660A
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 60V 2A SSOT-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.FSB660A.pdf
    2.FSB660A.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    60V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 200mA, 2A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    3-SSOT
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    FSB660A-ND
    FSB660ATR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    29 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    75MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    250 @ 500mA, 2V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    2A
  • ベース部品番号
    FSB660

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