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2030893

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI3N90TU

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規格

部品型番

FQI3N90TU
メーカー/ブランド

AMI Semiconductor/onsemi
在庫数量

在庫あり
説明

MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

FQI3N90TU.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）

5V @ 250µA
Vgs（最大）

±30V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

I2PAK (TO-262)
シリーズ

QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

4.25 Ohm @ 1.8A, 10V
電力消費（最大）

3.13W (Ta), 130W (Tc)
パッケージング

Tube
パッケージ/ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ

Through Hole
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

910pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

26nC @ 10V
FETタイプ

N-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

900V
詳細な説明

N-Channel 900V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

3.6A (Tc)

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