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125568FQB6N80TM絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB6N80TM

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規格
  • 部品型番
    FQB6N80TM
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FQB6N80TM.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D²PAK (TO-263AB)
  • シリーズ
    QFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
  • 電力消費（最大）
    3.13W (Ta), 158W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    FQB6N80TM-ND
    FQB6N80TMTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    19 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1500pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    31nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    800V
  • 詳細な説明
    N-Channel 800V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    5.8A (Tc)

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