2024年の電子展の聴衆のための指示

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3491170FQB34P10TM-F085P絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB34P10TM-F085P

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規格
  • 部品型番
    FQB34P10TM-F085P
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    PMOS D2PAK 100V 60 MOHM
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    FQB34P10TM-F085P.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±25V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D²PAK (TO-263)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    60 mOhm @ 16.75A, 10V
  • 電力消費（最大）
    3.75W (Ta), 155W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 鉛フリーステータス
    Lead free
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2910pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    110nC @ 10V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    P-Channel 100V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    33.5A (Tc)

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