2024年の電子展の聴衆のための指示

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FJP3835TU

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規格
  • 部品型番
    FJP3835TU
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 120V 8A TO-220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.FJP3835TU.pdf
    2.FJP3835TU.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    120V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    500mV @ 300mA, 3A
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    50W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    30MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 8A 30MHz 50W Through Hole TO-220-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    120 @ 3A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    8A

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説明: TRANS NPN 800V 2A TO-220

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FJP5021RVTU

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