2024年の電子展の聴衆のための指示

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4154808FJNS3213RBU絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS3213RBU

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規格
  • 部品型番
    FJNS3213RBU
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    300mV @ 500µA, 10mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92S
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース(R2)
    47 kOhms
  • 抵抗器 - ベース(R1)
    2.2 kOhms
  • 電力 - 最大
    300mW
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    68 @ 5mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    100mA
FJNS3210RTA

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJNS3215RTA

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FJNS3210RBU

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
在庫あり
FJNS4202RTA

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
在庫あり
FJNS3214RBU

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FJNS3212RBU

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FJNS4202RBU

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FJNS4201RTA

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FJNS3211RBU

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FJNS3209RTA

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FJNS3213RTA

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