2024年の電子展の聴衆のための指示

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184229FGPF10N60UNDF絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGPF10N60UNDF

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規格
  • 部品型番
    FGPF10N60UNDF
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 20A 42W TO-220F
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FGPF10N60UNDF.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.45V @ 15V, 10A
  • 試験条件
    400V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    8ns/52.2ns
  • エネルギーの切り替え
    150µJ (on), 50µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220F-3
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    37.7ns
  • 電力 - 最大
    42W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • ゲートチャージ
    37nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT 600V 20A 42W Through Hole TO-220F-3
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    30A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    20A

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説明: IGBT 300V 44.6W TO220F

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FGPF30N30DTU

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説明: IGBT 300V 46W TO220F

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FGP50CHE3/73

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説明: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

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