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1436321FGL60N100BNTD絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

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規格
  • 部品型番
    FGL60N100BNTD
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1000V 60A 180W TO264
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FGL60N100BNTD.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1000V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.9V @ 15V, 60A
  • 試験条件
    600V, 60A, 51 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    140ns/630ns
  • エネルギーの切り替え
    -
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-264
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    1.2µs
  • 電力 - 最大
    180W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-264-3, TO-264AA
  • 他の名前
    FGL60N100BNTD-ND
    FGL60N100BNTDFS
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT and Trench
  • ゲートチャージ
    275nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    120A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    60A

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