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2262310FGA30T65SHD絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA30T65SHD

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規格
  • 部品型番
    FGA30T65SHD
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FGA30T65SHD.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.1V @ 15V, 30A
  • 試験条件
    400V, 30A, 6 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    14.4ns/52.8ns
  • エネルギーの切り替え
    598µJ (on), 167µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-3PN
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    31.8ns
  • 電力 - 最大
    238W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    54.7nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 238W Through Hole TO-3PN
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    90A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    60A

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