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850512FES16JT絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FES16JT

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規格
  • 部品型番
    FES16JT
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FES16JT.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.5V @ 8A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AC
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    50ns
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-2
  • 他の名前
    FES16JTFS
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 16A Through Hole TO-220AC
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    16A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    145pF @ 4V, 1MHz
  • ベース部品番号
    FES16J

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説明: 6A 600V ULTRA FAST RECTIFIER

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説明: DIODE GEN PURP 500V 16A TO220AC

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説明: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

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FES6G

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説明: 6A 200V ULTRA FAST RECTIFIER

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RFQ
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