2024年の電子展の聴衆のための指示

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FDP8030L

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規格
  • 部品型番
    FDP8030L
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.FDP8030L.pdf
    2.FDP8030L.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-3
  • シリーズ
    PowerTrench®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    3.5 mOhm @ 80A, 10V
  • 電力消費（最大）
    187W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 他の名前
    FDP8030L-ND
    FDP8030LFS
  • 運転温度
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    7 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    10500pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    170nC @ 5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    80A (Ta)

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説明: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

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FDP75N08A

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説明: MOSFET N-CH 75V 75A TO-220

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