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3384392FDMD8680絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD8680

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規格
  • 部品型番
    FDMD8680
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FDMD8680.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-PQFN (5x6)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.7 mOhm @ 16A, 10V
  • 電力 - 最大
    39W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerWDFN
  • 他の名前
    FDMD8680-ND
    FDMD8680OSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    39 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    5330pF @ 40V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    73nC @ 10V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Standard
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    80V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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