2024年の電子展の聴衆のための指示

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FDD8445-F085P

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規格
  • 部品型番
    FDD8445-F085P
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    NMOS DPAK 40V 8.7 MOHM
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    FDD8445-F085P.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-252, (D-Pak)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8.7 mOhm @ 50A, 10V
  • 電力消費（最大）
    79W (Ta)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 鉛フリーステータス
    Lead free
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    4050pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    59nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    40V
  • 詳細な説明
    N-Channel 40V 50A (Ta) 79W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    50A (Ta)

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