2024年の電子展の聴衆のための指示

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4129059FDC021N30絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC021N30

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規格
  • 部品型番
    FDC021N30
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    PT8 N 30V/20V, MOSFET
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    FDC021N30.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SuperSOT™-6
  • シリーズ
    PowerTrench®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    26 mOhm @ 6.1A, 10V
  • 電力消費（最大）
    700mW (Ta)
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6
  • 他の名前
    FDC021N30DKR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    710pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    10.8nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    6.1A (Ta)

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FDC1004DSCT

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説明: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

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説明: FIBER DOME CLOSURE 654X306MM

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説明: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

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FDC-12S-F-0NN-01J-N

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説明: FIBER DOME CLOSURE 654X306MM

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FDC1004DSCJ

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説明: CAPACITIVE SENSING SOLUTIONS

メーカー: Luminary Micro / Texas Instruments
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FDC1004DSCR

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説明: CAPACITIVE SENSING SOLUTIONS

メーカー: Luminary Micro / Texas Instruments
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RFQ
FDC-12S-F-0NN-01K-N

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説明: FIBER DOME CLOSURE 654X306MM

メーカー: 3M
在庫あり
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