2024年の電子展の聴衆のための指示

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2365988EMC2DXV5T1絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EMC2DXV5T1

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規格
  • 部品型番
    EMC2DXV5T1
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • トランジスタ型式
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-553
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース(R2)
    22 kOhms
  • 抵抗器 - ベース(R1)
    22 kOhms
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-553
  • 他の名前
    EMC2DXV5T1OS
    EMC2DXV5T1OS-ND
    EMC2DXV5T1OSTR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    60 @ 5mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    500nA
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    100mA
EMC30DRAI-S734

EMC30DRAI-S734

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EMC28DTES

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EMC28DTEI

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EMC30DRAH

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EMC28DTEF

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EMC28DRYS-S734

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EMC30DRAN-S734

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EMC28DRYN-S734

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EMC30DRAN

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EMC2DXV5T1G

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EMC28DRYS

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EMC30DREF

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EMC30DRAH-S734

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EMC30DRAS

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EMC30DRAI

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EMC28DRYS-S93

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EMC28DRYN-S93

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EMC30DRAS-S734

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