2024年の電子展の聴衆のための指示

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825282DLE30E絵ON Semiconductor

DLE30E

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規格
  • 部品型番
    DLE30E
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DLE30E.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    3A
  • 電圧 - ブレークダウン
    Axial
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間（trrの）
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    DO-201AD, Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    30ns
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    DLE30E
  • 拡張された説明
    Diode Standard 400V 3A Through Hole Axial
  • ダイオード構成
    20µA @ 400V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.25V @ 1A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    400V
  • Vrと、F @キャパシタンス
    150°C (Max)

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