2024年の電子展の聴衆のための指示

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666008BVSS84LT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS84LT1G

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規格
  • 部品型番
    BVSS84LT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BVSS84LT1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-23-3
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    10 Ohm @ 100mA, 5V
  • 電力消費（最大）
    225mW (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    BVSS84LT1G-ND
    BVSS84LT1GOSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    36 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    36pF @ 5V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    2.2nC @ 10V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    50V
  • 詳細な説明
    P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    130mA (Ta)

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BVSS123LT1G

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BVSD-2032-PC

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メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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説明: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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FQA10N60C

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説明: MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P

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