2024年の電子展の聴衆のための指示

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6026392BUB323ZT4G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUB323ZT4G

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規格
  • 部品型番
    BUB323ZT4G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BUB323ZT4G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    350V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1.7V @ 250mA, 10A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D2PAK
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    150W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    BUB323ZT4GOS
    BUB323ZT4GOS-ND
    BUB323ZT4GOSTR
  • 運転温度
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    26 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    2MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    500 @ 5A, 4.6V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    10A
  • ベース部品番号
    BUB323

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2SB1326TV2Q

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BUB323ZT4

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NJL21193DG

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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