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2257905BD682S絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD682S

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規格
  • 部品型番
    BD682S
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BD682S.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    2.5V @ 30mA, 1.5A
  • トランジスタ型式
    PNP - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-126
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    14W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-225AA, TO-126-3
  • 他の名前
    BD682S-ND
    BD682SFS
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 4A 14W Through Hole TO-126
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    750 @ 1.5A, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    4A
  • ベース部品番号
    BD682

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説明: TRANS PNP DARL 100V 4A TO225

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
在庫あり
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