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5284624BD679AS絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD679AS

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規格
  • 部品型番
    BD679AS
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.BD679AS.pdf
    2.BD679AS.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    80V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    2.8V @ 40mA, 2A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-126
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    40W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-225AA, TO-126-3
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    750 @ 2A, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    4A
  • ベース部品番号
    BD679

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