2024年の電子展の聴衆のための指示

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4756326BC847BPDW1T2G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BC847BPDW1T2G

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規格
  • 部品型番
    BC847BPDW1T2G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BC847BPDW1T2G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    45V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
  • トランジスタ型式
    NPN, PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    380mW
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 他の名前
    BC847BPDW1T2GOSDKR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    40 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    100MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 2mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    15nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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