2024年の電子展の聴衆のための指示

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BC212_J35Z

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規格
  • 部品型番
    BC212_J35Z
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 50V 0.3A TO-9
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BC212_J35Z.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    600mV @ 5mA, 100mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    625mW
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 300mA 625mW Through Hole TO-92-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    60 @ 2mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    15nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    300mA
  • ベース部品番号
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