2024年の電子展の聴衆のための指示

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39861BBL4001-1E絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BBL4001-1E

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規格
  • 部品型番
    BBL4001-1E
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V 74A TO220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS(TH)(最大)
    2.6V @ 1mA
  • Vgs(最大)
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、(最大)
    6.1 mOhm @ 37A, 10V
  • 電力消費(最大)
    2W (Ta), 35W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 他の名前
    BBL4001-1E-ND
    BBL4001-1EOS
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    7 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
    6900pF @ 20V
  • ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs
    135nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
    4V, 10V
  • ソース電圧(VDSS)にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 74A (Ta) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
    74A (Ta)
BBL-130-G-F

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BBL-131-T-F

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