2024年の電子展の聴衆のための指示

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57218622SC5706-E絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC5706-E

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規格
  • 部品型番
    2SC5706-E
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 50V 5A TP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SC5706-E.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    240mV @ 100mA, 2A
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    800mW
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 他の名前
    2SC5706-E-ND
    2SC5706-EOS
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    400MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 500mA, 2V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    5A
  • ベース部品番号
    2SC5706

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