2024年の電子展の聴衆のための指示

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12178662SB815-6-TB-E絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB815-6-TB-E

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規格
  • 部品型番
    2SB815-6-TB-E
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 15V 0.7A CP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SB815-6-TB-E.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    15V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    80mV @ 10mA, 100mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    3-CP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    2SB815-6-TB-EOSCT
  • 運転温度
    125°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 15V 700mA 250MHz 200mW Surface Mount 3-CP
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 50mA, 2V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
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