2024年の電子展の聴衆のための指示

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36799732SA1179N6-CPA-TB-E絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SA1179N6-CPA-TB-E

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規格
  • 部品型番
    2SA1179N6-CPA-TB-E
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 50V 0.15A CP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SA1179N6-CPA-TB-E.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    500mV @ 5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    180MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 1mA, 6V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    150mA

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