2024年の電子展の聴衆のための指示

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45724152N6667絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N6667

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規格
  • 部品型番
    2N6667
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    2N6667.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    60V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    3V @ 100mA, 10A
  • トランジスタ型式
    PNP - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    2W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 他の名前
    2N6667OS
  • 運転温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 5A, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    10A
  • ベース部品番号
    2N6667

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