2024年の電子展の聴衆のための指示

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2N6341G

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規格
  • 部品型番
    2N6341G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 150V 25A TO-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2N6341G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    25A
  • 電圧 - ブレークダウン
    TO-3
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    150V
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Tray
  • 抵抗 - ベース（R1）（オーム）
    40MHz
  • 電力 - 最大
    200W
  • 偏光
    TO-204AA, TO-3
  • 他の名前
    2N6341G-ND
    2N6341GOS
  • 運転温度
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 製造元の部品番号
    2N6341G
  • 周波数 - トランジション
    30 @ 10A, 2V
  • 拡張された説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 25A 40MHz 200W Through Hole TO-3
  • 説明
    TRANS NPN 150V 25A TO-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    50µA
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1.8V @ 2.5A, 25A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    NPN

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