2024年の電子展の聴衆のための指示

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2N5830_D26Z

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規格
  • 部品型番
    2N5830_D26Z
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2N5830_D26Z.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    250mV @ 5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    625mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 200mA 625mW Through Hole TO-92-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    80 @ 10mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    50nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    200mA
  • ベース部品番号
    2N5830

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説明: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92

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2N5838

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