2024年の電子展の聴衆のための指示

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43028141N4150_T26A絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4150_T26A

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規格
  • 部品型番
    1N4150_T26A
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1N4150_T26A.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1V @ 200mA
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    50V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-35
  • 速度
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    6ns
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    175°C (Max)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    100nA @ 50V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    200mA
  • Vrと、F @キャパシタンス
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • ベース部品番号
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