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6110006SIHP30N60E-GE3絵Vishay Siliconix

SIHP30N60E-GE3

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規格
  • 部品型番
    SIHP30N60E-GE3
  • メーカー/ブランド
    Vishay / Siliconix
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SIHP30N60E-GE3.pdf
  • 電圧 - テスト
    2600pF @ 100V
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    E
  • RoHSステータス
    Digi-Reel®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    29A (Tc)
  • 偏光
    TO-220-3
  • 他の名前
    SIHP30N60E-GE3DKR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    21 Weeks
  • 製造元の部品番号
    SIHP30N60E-GE3
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    130nC @ 10V
  • IGBTタイプ
    ±30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    4V @ 250µA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    600V
  • 静電容量比
    250W (Tc)

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