2024年の電子展の聴衆のための指示

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4693869HN4A51JTE85LF絵Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

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規格
  • 部品型番
    HN4A51JTE85LF
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    HN4A51JTE85LF.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    120V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 1mA, 10mA
  • トランジスタ型式
    2 PNP (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SMV
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    300mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SC-74A, SOT-753
  • 他の名前
    HN4A51JTE85LFCT
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    100MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 2mA, 6V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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