2024年の電子展の聴衆のための指示

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3198316STX112-AP絵STMicroelectronics

STX112-AP

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規格
  • 部品型番
    STX112-AP
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STX112-AP.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    2.5V @ 8mA, 2A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92AP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1.2W
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 他の名前
    497-12706-3
    STX112-AP-ND
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 1.2W Through Hole TO-92AP
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 1A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    2mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    2A
  • ベース部品番号
    STX112

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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