2024年の電子展の聴衆のための指示

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5113583STU6N90K5絵STMicroelectronics

STU6N90K5

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規格
  • 部品型番
    STU6N90K5
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    1.STU6N90K5.pdf
    2.STU6N90K5.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 100µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    IPAK (TO-251)
  • シリーズ
    MDmesh™ K5
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.1 Ohm @ 3A, 10V
  • 電力消費（最大）
    110W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • 他の名前
    497-17076
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    900V
  • 詳細な説明
    N-Channel 900V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    6A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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